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Abstrait

Effet de l'implantation d'ions azote sur les propriétés physiques des couches minces d'oxyde de cuivre sur substrat de verre

Azadeh Jafari

L'une des méthodes permettant d'améliorer les propriétés structurelles
d'un oxyde métallique pour modifier ses propriétés optiques et électriques
est le dopage à l'azote. Dans ce contexte, le dopage à l'azote dans l'
oxyde de cuivre est un sujet de recherche primordial en raison de son potentiel
pour surmonter l'inconvénient de l'oxyde de cuivre, sa
résistance élevée. Dans cet article, l'effet de l'implantation d'ions azote
sur un film mince d'oxyde de cuivre déposé sur un substrat de verre par
pulvérisation magnétron CC a été étudié. Afin d'étudier
l'effet de l'implantation d'ions azote sur
un film mince d'oxyde de cuivre, la structure cristallographique des échantillons
a été obtenue en utilisant la méthode de diffraction des rayons X.
La microscopie à force atomique et la microscopie électronique à balayage ont été utilisées
pour l'étude de la morphologie de surface et le spectrophotomètre UV-VIS
a été utilisé pour les propriétés optiques. Les diagrammes de DRX
ont montré une formation de Cu2O:N avec une structure orthorhombique dans
l'échantillon implanté. Les images SEM ont montré une certaine vicissitude primordiale
dans la morphologie de surface après l'implantation d'ions azote
de telle manière que certaines ouvertures interconnectées
se sont engendrées sur la surface. Selon les images AFM, la
rugosité des échantillons après implantation est diminuée
et transmutée en raison de l'effet balistique des ions implantés.
L'étude des propriétés optiques a montré que
l'implantation d'ions azote favorisait la délocalisation des porteurs de charge
, ce qui a entraîné une diminution de la bande interdite optique. Un autre résultat de
l'implantation d'ions azote a été de minimiser la résistivité des échantillons
dont les caractéristiques IV ont été réalisées avec le système Keithley-
2361. Les résultats fournissent un exemple expérimental subsidiaire
de synthèse d'oxyde de cuivre dopé N et favoriseraient
la recherche et les applications de dispositifs Cu2O:N tels que
les systèmes de matériaux photovoltaïques.